国产存储芯片明年量产，打破国外巨头垄断格局

   据台湾《电子时报》本周四报道，中国长江储存、晋华和Innotron三家公司的存储芯片工厂将于明年竣工，并投入量产使用。

   长江存储此前透露，已获得首批超过10000套32层3D NAND闪存芯片的商业生产订单，将用于8GB SD存储卡上。不过，业内人士的消息称，长江存储的32层NAND芯片的月产量仅为5000片晶圆，较为有限。

   消息人士还称，长江存储目前主要是将研发资源投入到64层3D NAND闪存中，并计划在今年年底出样。

   晋华方面则表示，此前与联华电子（UMC）联合开发的第一代DRAM生产技术预计于今年年底投入生产。业内人士透露，Innotron最近已进入8Gb LPDDR4芯片的试生产阶段，不过该公司尚未确认是否已经开始生产。Innotron此前公布了其生产的19nm 8Gb DDR4产品，预计年底亮相，明年即可量产。

   一旦三家国产存储芯片公司的工厂开始大批量生产，将会改变目前被国内芯片巨头垄断市场的格局，届时消费者将会购买到更为便宜产品。