三星量产第五代V-NAND闪存芯片：传输速度提高40%

   近日，三星电子宣布已经开始大规程生产其第五代V-NAND闪存芯片。

   第五代V-NAND闪存芯片的构建与之前的相似，它配备了90层的3D TLC CTF闪存存储单元。它们堆叠成金字塔状结构，中间有微小孔。这些孔用作通道，尺度仅有几百微米宽，包含超过850亿个CTF单元，每个单元存储多达3比特数据，单个芯片容量达256Gb(32GB)。

   第五代V-NAND闪存芯片采用“Toggle DDR 4.0”NAND接口，拥有更快的数据传输速度，相比上一代产品，不仅与RAM之间的传输速度提高了40%，而且数据写入延迟仅为500μs，提高了30%，响应时间降低到了50μs。

   第五代V-NAND芯片将应用在如超级计算机、企业服务器和最新的移动应用等高级智能手机方面。